匝間沖擊耐壓試驗(yàn)儀以MCU中央信息處理系統(tǒng)為核心，由它控制高壓脈沖發(fā)生器對(duì)線(xiàn)圈施加一次極短時(shí)間的高壓脈沖，線(xiàn)圈在脈沖作用下產(chǎn)生自由衰減振蕩,其瞬態(tài)波形的模擬信號(hào)經(jīng)高速A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)后反饋至MCU信息處理系統(tǒng)進(jìn)行時(shí)間、電暈量、面積、相位等參數(shù)的運(yùn)算，處理結(jié)果保存在MCU信息處理系統(tǒng)的電子存儲(chǔ)器中，并用直觀易懂的文字、數(shù)據(jù)及圖形顯示在240×320點(diǎn)陣液晶模塊LCM上，從而保證了波形重現(xiàn)的真實(shí)性。并且根據(jù)用戶(hù)設(shè)定的條件,對(duì)合格或不合格者進(jìn)行報(bào)警處理。

線(xiàn)圈質(zhì)量檢查判斷方法：

匝間沖擊耐壓試驗(yàn)儀有4種典型的自動(dòng)檢查判斷方法，用戶(hù)可以根據(jù)被測(cè)線(xiàn)圈的實(shí)際情況，組合或單獨(dú)采用；每一種判斷方法，均可任意設(shè)定、修改臨界判斷門(mén)限，以達(dá)到正確、快速檢查判斷不同線(xiàn)圈品質(zhì)優(yōu)劣的目的。具體檢查判斷方法如如下：

波形面積比較（AREA SIZE）

在任意指定的區(qū)間內(nèi)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)圈和被測(cè)線(xiàn)圈波形面積進(jìn)行比較。

計(jì)算出A-B區(qū)間內(nèi)的面積，判定兩者面積相差的程度。

判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比（％）進(jìn)行設(shè)定，計(jì)算結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。

區(qū)間內(nèi)面積的大小，大體與線(xiàn)圈內(nèi)能量損耗成比例，故能以此判斷能量損耗的大小。

例如被測(cè)線(xiàn)圈有匝間短路時(shí)，短路部分的反映是能量的損失增大。

波形差面積比較(DIFFERENTIAL AREA)

在任意指定區(qū)間內(nèi)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)圈和被測(cè)線(xiàn)圈波形偏差部分的面積與標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)圈波形面積進(jìn)行比較。

計(jì)算出A-B區(qū)間內(nèi)面積差，對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)波形（同圖1.3.2_1）判定偏差的程度。

判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比（％）進(jìn)行設(shè)定，結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。

波形偏差面積的大小表示電感值以及能量損耗程度的總和。

此方法可較全面地檢查線(xiàn)圈的電感L值及能量損失。

波形電暈量比較 (FLUTTER VALUE)

在任意指定的區(qū)間內(nèi)，對(duì)被測(cè)線(xiàn)圈的電暈放電量與設(shè)定值進(jìn)行比較。

基本忽略波形差異，在任意指定的A－B區(qū)間內(nèi)，僅在被測(cè)線(xiàn)圈實(shí)測(cè)波形包含的電暈放電尖峰中檢出高頻成分進(jìn)行面積(積分)計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果與設(shè)定值進(jìn)行比較，判定電暈放電量是否合格。

可以認(rèn)為該量是模擬方式中檢出的通過(guò)高頻濾波器的量值。

波形相位 (過(guò)零點(diǎn))比較(ZERO CROSS)

在任意指定的區(qū)間內(nèi)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)圈和被測(cè)線(xiàn)圈波形振蕩周期進(jìn)行比較。

任意指定的A－B區(qū)間內(nèi)，計(jì)算被測(cè)線(xiàn)圈實(shí)測(cè)波形在該區(qū)間內(nèi)的振蕩周期，并與標(biāo)準(zhǔn)波形在該區(qū)間內(nèi)的振蕩周期進(jìn)行比較，并用這兩個(gè)量的百分比作為判定依據(jù)，基準(zhǔn)用百分比來(lái)設(shè)定。

由于波形的振蕩周期與線(xiàn)圈的電感L密切相關(guān)，此方法可偏重于檢查線(xiàn)圈的電感L值。